AI算力中心用大功率激光器芯片扩产项目芯片部基础厂务条件改造安装项目(武汉光迅科技股份有限公司)
大型

项目地址: 定位

项目概况

更新时间: 2026-03-16(发布:2026-03-16)
项目阶段: 2026-03-16处于EPC总承包确定

建设周期: --

项目类型:工业
面积:
投资金额: 18000万
建设性质: 改扩建
甲方类型: 政府部门、国企、事业单位
项目描述
为提升大功率激光器芯片自主研发与规模化生产能力,对现有芯片工艺厂房与产线进行改造扩建,新增MOCVD设备、电子束光刻设备、芯片解理测试设备及配套UPS电力保障系统100余台(套),大功率激光器芯片的年产能从200万只大幅提升至2400万只,保障产业链自主安全。
项目工期及阶段
工程备注: 截止(2026年4月22日),该项目处于主体施工阶段

项目动态 0

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