重庆市水土芯辰半导体产业基地项目(重庆两江新区水土新城建设投资有限公司)

大型

项目用地面积约150亩，总建筑面积约12.5万方，总投资约15亿元，本项目建设用于8/12英寸硅基氮化镓Micro LED微显屏制造的电子器件厂房，主要建筑包括：研发楼、FAB厂房、综合动力站、110KV变电站、废水站、有毒有害腐蚀气体库、乙类化学品库、甲类化学品库、硅烷站、氢气站、固废站、大宗气站、埋地柴油罐、收集池、门卫等。