高端半导体掩膜版生产基地建设项目(一期)(佛山清溢微电子有限公司)

大型

总建筑面积:----，其中地下室建筑面积:----，建筑层数:地上4层，地下:1层，计容面积:----，基底面积:----。建筑高度：23.7米。附图及附件名称：1、取得建设工程规划许可证一年后尚未开工的，建设单位（个人）应当在有效期届满三十日前向原许可机关申请办理延期手续，延长期限不得超过六个月。未办理延期手续或者办理延期手续逾期仍未开工的，建设工程规划许可证自行失效。2、建设工程开工前，建设单位或者个人应当委托具有相应测绘资质的单位放线，并申请验线。未经验线，建设工程不得开工。3、附件为总平面图、立面图。4、该项目于2024年07月16日核发建设工程规划许可证，许可证有效期按该日期起算。5、本证经告知承诺制批出。6、2025年8月25日，告知承诺制批后抽查批出，请按最新已批图纸实施。指标调整如下：建筑面积由----调整为----，计容面积由----调整为----，基底面积由----调整为----，地下室建筑面积由----调整为----，原图纸作废，其余指标不变。6、2026年2月27日规划变更，请按最新已批图纸实施。指标调整如下：建筑面积由----调整为----，计容面积由----调整为----，基底面积由----调整为----，原图纸作废，其余指标不变。