年产5亿颗车规级MOSFET芯片封测项目(浙江源芯微电子有限公司)
大型

项目地址: 定位

项目概况

更新时间: 2025-11-17(发布:2025-11-17)
项目阶段: 2025-11-17处于主体施工开工

建设周期: 2025年2季度 - 2026年2季度

项目类型:工业
面积:
投资金额: 31760万
建设性质: 新建
甲方类型: 私营企业
项目描述
租用南太湖数字经济产业园标准厂房,面积达----,总建筑面积----。项目建设内容如下: 1. 依托新能源汽车电动化、智能化、低碳化发展方向的扶持政策优势,淘汰老旧设备,更新先进设备,以此提升公司产能,优化产品结构,推动产品向汽车电子高附加值领域拓展。 2. 项目建成后,将具备年产5亿颗车规级MOSFET芯片封测的生产能力。
项目工期及阶段
工程备注: 截止(2025年11月17日),该项目处于主体施工阶段

项目动态 1

2025-11-17
新增人员:

甲方单位联系人

2 位联系人

业主

职位: 法人、项目负责人
职位: 监事、项目统筹

设计院联系人

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暂无设计院联系人信息

承建方联系人

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分包方联系人

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