高品质砷化镓晶片项目(湖北省黄冈市)

大型

新建厂房及配套设施项目，将整体搬迁现有砷化镓晶片生产线，构建年产70万片6英寸高品质砷化镓晶片生产线，并配套建设年产3万套半导体级46英寸石英管生产线及研发中心，项目总投资27200万元。具体建设内容如下： 1. 6英寸高品质半绝缘砷化镓晶片（衬底）生产线：该生产线产品应用于5G射频前端（手机、基站）、卫星通信、激光器等领域。关键技术指标为电阻率≥1×10⁷Ω·cm，位错密度≤5000cm⁻²。 2. 年产3万套半导体级石英管生产线：此生产线产品作为GaAs单晶生长炉耗材，可实现关键辅材自主可控。