奕斯伟武汉硅材料基地项目(湖北省武汉市)

大型

项目总占地面积310亩。项目规划月产能达50万片，主要建设内容按主次顺序为：生产适用于逻辑芯片、闪存芯片、动态随机存储芯片、图像传感器、显示驱动芯片等领域的12英寸集成电路先进制程用硅单晶抛光片及外延片。工艺流程涵盖原材料预处理（筛选）、元件贴装（耗电工序）、封装（耗电工序）、传感器测试与校准。