12英寸高质量导电型碳化硅衬底、外延及器件攻关项目(山西烁科晶体有限公司)

大型

利用山西烁科晶体有限公司中国电科（山西）碳化硅材料产业基地平台B02、B04厂房，购置碳化硅单晶生长炉、抛光机、倒角机等设备，研究低位错缺陷密度的12英寸碳化硅单晶及衬底。项目完成后基于12英寸衬底和外延片，完成1200V/100A碳化硅MOSFET器件的制造。