创天电子科技产业园B区项目(广州天富德电子有限公司)

大型

项目新建主要建筑物包括：主次顺序依次为3#厂房一栋，地上17层、地下1层，建筑面积----；2#厂房一栋，地上16层、地下1层，建筑面积----；连廊，建筑面积----。新建建筑物占地面积----，总建筑面积----，主要用于建设射频微波陶瓷电容器、微波芯片电容器、中高压片式多层陶瓷电容器、片式多层压敏电阻器及静电抑制器、陶瓷薄膜电路及电子材料等产品的生产线。