江西省抚州市第四代超窄禁带半导体锑化镓衬底和砷化铟衬底材料制造项目(江西德原半导体有限公司)

大型

该项目总建筑面积约2000----米。项目分两期建设，主要产品为4英寸锑化镓单晶衬底（年产量约2万片）、4英寸砷化铟单晶衬底（年产量约1万片）等。企业承诺年综合能源消费量不满 1000 吨标准煤且年煤炭消费量不满1000 吨。