年产600万片高端化合物半导体衬底项目(浙江省衢州市)
大型

项目地址: 定位

项目概况

更新时间: 2026-07-01(发布:2026-07-01)
项目阶段: 2026-07-01处于立项审批

建设周期: 2026年8月 - 2029年8月

项目类型:工业
面积:
投资金额: 200000万
建设性质: 新建
甲方类型: 私营企业
项目描述
依托企业现有厂区实施升级扩建,引进全自动晶体生长炉、精密双面抛光设备、高分辨率缺陷检测系统等核心产线装备,实现4-6英寸高端砷化镓、磷化铟单晶衬底量产,达产后年产砷化镓衬底300万片、磷化铟衬底300万片,合计年产600万片高端化合物半导体衬底。
项目工期及阶段
工程备注: 截止(2026年7月1日),该项目处于立项阶段

项目动态 0

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