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射频芯片及器件产业化项目(安徽先导镓升微电子科技有限公司)
射频芯片及器件产业化项目(安徽先导镓升微电子科技有限公司)
大型
项目地址:
定位
项目概况
更新时间:
2026-09-11(发布:2026-08-27)
项目阶段:
2026-09-11处于
规划方案及初步设计
建设周期:
2026年4季度 - 2028年1季度
项目类型:
工业
面积:
投资金额:
210000万
建设性质:
新建
甲方类型:
私营企业
项目描述
建设总建筑面积----的生产及配套设施,构建“外延—晶圆—封装—系统集成—测试验证—管理支撑”线性生产体系。项目达产后,将形成综合生产能力,具体包括:年产能108000片GaAs/InP晶圆(其中GaAs晶圆84000片,InP晶圆24000片),以及年产102000套射频模块及子系统。
项目工期及阶段
工程备注:
截止(2026年09月11日),该项目已完成施工图设计,施工时间尚未确定
项目动态
3
2026-09-11
阶段更新:
2026-09-11
新增人员:
2026-08-27
新增人员:
甲方单位联系人
2
位联系人
业主
单位:
安徽先导镓升微电子科技有限公司
部门:
公司/单位高层领导
职位:
法人代表
备注:
作为高管添加
部门:
项目管理部
备注:
负责项目前期统筹
该业主单位的其他项目>>
设计院联系人
1
位联系人
规划方案初步设计
单位:
中国电子系统工程第三建设有限公司
部门:
设计部
职位:
建筑设计师
该业主单位的其他项目>>
承建方联系人
0
位联系人
暂无承建方联系人信息
分包方联系人
0
位联系人
暂无分包方联系人信息
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