昆元量子高性能激光芯片半导体工艺技改及设备购置项目(浙江省杭州市)

大型

昆元量子高性能激光芯片技术改造项目： 本项目采用半导体晶圆制造工艺，主要建设内容包括依次购置外延生长设备、光刻设备、刻蚀设备、薄膜沉积设备、镀膜设备、金属化设备以及量测设备等关键生产设备。项目建成后，预计形成年产1000万颗高性能激光芯片的生产能力，预计新增产值30000万元，新增税收1000万元。项目实施过程中，将严格遵循安全生产及消防相关规章制度，并依法开展统计工作。