高邮硅基电容及IGBT功率器件一期产能建设项目(江苏矽谦半导体有限公司) 大型
项目地址： 
定位
定位 项目概况
更新时间： 2026-07-22（发布：2026-07-22）
项目阶段： 2026-07-22处于主体施工开工
建设周期： --
项目类型：工业
面积：
投资金额： 100000万
建设性质： 新建
甲方类型： 外资、合资企业
项目描述
项目用地20亩，总建筑面积----。主要建设内容为：年产IGBT功率器件及高端硅基电容1.2亿只。
项目工期及阶段
工程备注： 截止(2026年7月22日)，该项目处于主体施工阶段
项目动态 1
2026-07-22
新增人员:
甲方单位联系人
2 位联系人
设计院联系人
2 位联系人
承建方联系人
1 位联系人
分包方联系人
0 位联系人
暂无分包方联系人信息