英诺赛科二期改造项目(英诺赛科(苏州)半导体有限公司)
大型

项目地址: 定位

项目概况

更新时间: 2026-05-15(发布:2026-05-15)
项目阶段: 2026-05-15处于立项审批

建设周期: 2025年10月 - 2027年6月

项目类型:工业
面积:
投资金额: 17426.27万
建设性质: 改扩建
甲方类型: 私营企业
项目描述
利用自有厂房,购置有机化学气相沉积机、光刻机、金属刻蚀机等各类生产、检测及辅助设备约239台(套),建设年产72万片8英寸硅基氮化镓芯片扩建项目,建成后年产8英寸硅基氮化镓功率芯片72万片。
项目工期及阶段
工程备注: 截止(2026年5月15日),该项目处于立项阶段

项目动态 0

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