南昌市红谷滩区化合物半导体外延及芯片产业化项目(江西省南昌市)

大型

本项目总投资15000万元，拟建设国内先进的III-V族化合物半导体外延材料及芯片产业化基地，重点面向高性能化合物半导体材料及功能器件领域，主要开展以砷化镓（GaAs）为代表的III-V族化合物半导体材料的外延生长、芯片制备及相关产品的研发与产业化，产品广泛应用于高端装备制造、新一代信息技术及其他战略性新兴产业领域。项目拟采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术路线，引进国际先进的外延生长设备，配套建设芯片制备、精密检测及厂务动力等设施，形成集外延材料生长、芯片制造、性能检测于一体的完整生产体系。项目建成后，将形成III-V族化合物半导体外延片及芯片的规模化生产能力。