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年产1亿颗碳化硅MOSFET功率芯片项目(一期)(浙江省衢州市衢市智造[2023]23号衢州智造新城东港片区(中片)东港六路以南,芳桂南路以东H051#地块工业用地项目)(芯科半导体(衢州)有限公司)
年产1亿颗碳化硅MOSFET功率芯片项目(一期)(浙江省衢州市衢市智造[2023]23号衢州智造新城东港片区(中片)东港六路以南,芳桂南路以东H051#地块工业用地项目)(芯科半导体(衢州)有限公司)
大型
项目地址:
定位
项目概况
更新时间:
2024-02-18(发布:2024-02-18)
项目阶段:
2024-02-18处于
设计
建设周期:
2024年1季度 - 2024年4季度
项目类型:
工业、教育及研究设施
面积:
投资金额:
73000万
建设性质:
新建
甲方类型:
私营企业
项目描述
此项目建设一期,用地面积为----,包括:厂房,建设碳化硅 mosfet功率芯片研发中试项目
项目工期及阶段
工程备注:
截止(2024-2-5)该项目施工单位尚未确定.
项目动态
0
暂无项目动态,正在努力调研
甲方单位联系人
业主
单位:
芯科半导体(衢州)有限公司
职位:
工程师
备注:
参与工程建设
部门:
项目部
备注:
参与工程建设
部门:
公司/单位高层领导
职位:
法人代表
备注:
作为高管添加
该业主单位的其他项目>>
3
位联系人
设计院联系人
施工图设计
单位:
中凡国际工程设计有限公司
部门:
设计部
职位:
结构设计师
该业主单位的其他项目>>
1
位联系人
承建方联系人
暂无承建方联系人信息
分包方联系人
暂无分包方联系人信息
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