上海凯虹科技电子有限公司与重庆平伟实业股份有限公司、深圳江南好电子有限公司侵害发明专利权纠纷一审民事判决书

图5器件的测试图片

由此，得到了《检测报告》，结果如下：

在硅化钛（56）层的下层位置B元素曲线平滑、无含量突变峰，即未检测到重掺B层存在。也就是说，根据《协助确认函》中的方法及其适用的设备，针对被告提供的PS1045L器件样品，未检测到其中含有δP++层。

综上所述，PS1045L器件含有的技术特征如表4所示。

表4PS1045L器件含有的技术特征

(三)器件生产方法的技术特征

由于涉案专利ＺＬ20081008××××.7的权利要求5、7为方法的权利要求，因此鉴定组根据《协助确认函》中的方法及其适用的设备，针对被告提供的PS1045L器件样品，按照器件样品的测试结果推断了其生产方法，包括：1、在N+基片上沉积N漂移区域；2、在N漂移区域掺杂硼，从而形成P本底区域，其中掺杂方法包括但不限于注入，例如扩散；3、在P本底区域上形成一层硅化钛。

PS1045L器件生产方法含有的技术特征如表5所示：

表5器件生产方法的技术特征划分

技术特征比对分析

鉴定组将专利ＺＬ20081008××××.7权利要求1、5、7的技术特征与PS1045L器件的技术特征进行逐一比对，结果如下：

(一)权利要求1

（1）技术特征A1和a1

由于PS1045L器件不存在δP++层，所以，技术特征A1和a1不相同也不等同。

（2）技术特征A2和a2

由于PS1045L器件不存在δP++层，所以技术特征A2和a2不相同。

同时，据专利记载：“在没有栅极电压的情况下，器件10作为pin二极管工作。施加正的栅极电压导致在栅极电介质下的两维电子沟道和隧道δP+/N+结的形成。将正的偏置施加于δP++层12形成由于能带与能带隧道所引起的大的正向电流流动”，“施加较高的正向偏置会导致正向电流的增加，这是由于阱辅助的隧道电流所引起的”，“施加反向偏置会导致负的栅极偏置，使得P本底14的表面停止反型，并且还使得器件10作为P-i-N二极管工作”，“施加较高的反向偏置会导致P本底14的表面变成更多的积累，从而导致较低的反向泄漏电流。”

由此可见，技术特征A1（即δP++层，亦即过饱和的P型掺杂硅、重掺杂的硼元素层）和技术特征A2（即P本底层）共同作用，使得“本发明的器件提供了优于现有技术的显著优点，包括，在正向电压降和反向泄漏电流之间的有利平衡、快速开关能力以及有利的dV/dt性能。通过消除在现有技术器件中所存在着的寄生N+/P/N晶体管，至少能够部分获得这种改进。此外，仅仅只需要四个拍照步骤就能够生产器件，这少于某些现有技术的器件所需要的五个步骤。对于等于或者小于40V的低击穿电压来说，通过消除P+保护环，有可能将四个步骤进一步减小到三个步骤。另外，适用于生产器件的工艺在N+源或重掺杂P本底不一定要注入的情况下可以得到明显简化。这就允许减小单元的沟道密度和其它几何尺寸，从而进一步减小芯片的体积。减小芯片的体积导致减小现代功率整流器件的覆盖区域并且也减小成本。”

由于PS1045L器件不存在δP++层，故PS1045L器件的技术特征a2无法实现上述优点，所以，技术特征A2和a2不等同。

综上，技术特征A2和a2不相同也不等同。

（3）技术特征A3和a3

两者都含有N漂移区，且N漂移区的相对位置相同，因此，技术特征A3和a3相同。

（4）技术特征A4和a4

两者都含有N+基片，且N+基片的相对位置相同，因此，技术特征A4和a4相同。

（5）技术特征A5和a5

由于PS1045L器件不存在δP++层，所以技术特征A5和a5不相同。

同时，据专利记载：“在等于或者高于650摄氏温度下将接触区域中的一些硅转换成硅化钛。在接触区域中的硼被移动或者“滑到”在硅化钛和硅之间的界面区域，从而创建过饱和P掺杂硅的δP++层且具有大约几个原子层的厚度”，“其它创建过饱和δP++层的方法包括分子束外延(MBE)和原子层沉积(ALD)，但是这些都十分昂贵和复杂。本发明的方法使用高级硅化物的形成，例如，硅化钛。通过在硅化物进入硅化物/硅界面之前，扫描或者滑动硼原子，并且如果硅化物形成的工艺是在没有氧化氛围(例如，具有良好控制温度的氮气氛围)中进行的话，则扫描过车硼原子将仍旧在界面区域内。这是因为硅化物是在小于一分钟的条件下形成的且温度也足够低，从而防止硼原子扩散到足够深的硅晶格中，以避免δP++层形成。”

由此可见，技术特征A5（即硅钛化物）的存在有助于技术特征A1的形成，而技术特征A1和其他技术特征共同作用，使得“本发明的器件提供了优于现有技术的显著优点，包括，在正向电压降和反向泄漏电流之间的有利平衡、快速开关能力以及有利的dV/dt性能。通过消除在现有技术器件中所存在着的寄生N+/P/N晶体管，至少能够部分获得这种改进。此外，仅仅只需要四个拍照步骤就能够生产器件，这少于某些现有技术的器件所需要的五个步骤。对于等于或者小于40V的低击穿电压来说，通过消除P+保护环，有可能将四个步骤进一步减小到三个步骤。另外，适用于生产器件的工艺在N+源或重掺杂P本底不一定要注入的情况下可以得到明显简化。这就允许减小单元的沟道密度和其它几何尺寸，从而进一步减小芯片的体积。减小芯片的体积导致减小现代功率整流器件的覆盖区域并且也减小成本。”

由于PS1045L器件不存在δP++层，故PS1045L器件的技术特征a5无法实现上述优点，所以，技术特征A5和a5不等同。

综上，技术特征A5和a5不相同也不等同。

（6）技术特征A6和a6

两者都含有硅氧化物，且硅氧化物的相对位置相同，因此，技术特征A6和a6相同。

（7）技术特征A7和a7

两者都含有多晶硅，且多晶硅的相对位置相同，因此，技术特征A7和a7相同。

（8）技术特征A8和a8

两者都含有金属钛，且金属钛的位置相同，因此，技术特征A8和a8相同。

(二)权利要求5

（1）技术特征B1和b1

技术特征b1：在N+基片上沉积N漂移区域。即在第二导电类型的基片上沉积第二导电类型的漂移区域。

由此可见，对于技术特征B1和b1，两者都是在第二导电类型的基片上形成第二导电类型的漂移区域，且对于PS1045L器件，形成第二导电类型的漂移区域的方法为沉积，因此，技术特征B1和b1相同。

（2）技术特征B2和b2

技术特征b2：在N漂移区域掺杂硼，从而形成P本底区域，其中掺杂方法包括但不限于注入，例如扩散。即：在第二导电类型的漂移区域掺杂第一导电类型的掺杂剂，从而形成第一导电类型的本底区域，其中掺杂方法包括但不限于注入。

由此可见，对于技术特征B2和b2，B2记载的第一导电类型本底区形成方式是注入，PS1045L器件形成第一导电类型本底区的方式包括但不限于注入。鉴定组认为，使用注入或其他工艺对半导体进行掺杂是所属技术领域的普通技术人员无需经过创造性劳动就能够想到的特征。可见，技术特征B2和b2以基本相同的手段，实现了半导体掺杂的功能，最终都达到了同等类型的掺杂效果，并且本领域普通技术人员无需经过创造性劳动就能够联想到。因此，技术特征B2和b2相同或等同。

（3）技术特征B3和b3

技术特征b3：在P本底区域上形成一层硅化钛。即在第一导电类型的本底区域上形成一层高级硅化物。

由此可见，对于技术特征B3和b3，两者都是在本底区域上形成一层高级硅化物，因此，技术特征B3和b3相同。

（4）技术特征B4和b4

由于PS1045L器件不含有过饱和的硅，因此，技术特征B4和b4不相同也不等同。

(三)权利要求7

（1）技术特征C1和b1

对于技术特征C1和b1，两者都是在N+基片上形成N漂移区域，且对于PS1045L器件，形成N漂移区域的方法为沉积，因此，技术特征C1和b1相同。

（2）技术特征C2和b2

对于技术特征C2和b2，C2记载的产生P本底区域的方式为注入，PS1045L器件产生P本底区域的方式包括但不限于注入。鉴定组认为，使用注入或其他工艺对半导体进行掺杂是所属技术领域的普通技术人员无需经过创造性劳动就能够想到的特征。可见，技术特征C2和b2以基本相同的手段，实现了半导体掺杂的功能，最终都达到了同等类型的掺杂效果，并且本领域普通技术人员无需经过创造性劳动就能够联想到。因此，技术特征C2和b2相同或等同。

（3）技术特征C3和b3

对于技术特征C3和b3，两者都是在P本底区域上形成一层硅化钛，因此，技术特征C3和b3相同。

（4）技术特征C4和b4

对于技术特征C4和c4，由于PS1045L器件不含有过饱和的P掺杂硅，因此，技术特征C4和c4不相同也不等同。

原告对该司法鉴定意见书的鉴定结论提出异议并申请鉴定人员出庭作证，且申请其专家辅助人韩雁（浙江大学微电子电子研究所教授）出庭作证。工业和信息化部软件与集成电路促进中心知识产权司法鉴定所的鉴定人黄某、孙某及原告的专家辅助人韩雁均出庭进行了作证。

2018年12月17日，就原告针对涉案司法鉴定意见书所提之质证意见，工业和信息化部软件与集成电路促进中心知识产权司法鉴定所作出《对凯虹公司质证意见的回复函》，其上载明：一、凯虹公司认为实验过程有明显的严重错误，实验结果相互矛盾。对此，鉴定人认为，鉴定意见书中涉及两次检测实验，分别为TEM检测和SIMS检测。透射电子显微镜（TransmissionElectronMicroscope，缩写TEM），是把经加速和聚集的电子束投射到非常薄的样品上，电子与样品中的原子碰撞而改变方向，从而产生立体角散射。散射角的大小与样品的密度、厚度相关，因此可以形成明暗不同的影像。二次离子质谱（SecondaryIonMassSpectroscopy，缩写SIMS），是一种表面成份精密分析仪器，它是通过高能量的一次离子束轰击样品表面，使样品表面吸收能量而从表面发生溅射产生二次粒子，通过质量分析器收集、分析这些二次离子，就可以得到关于样品表面信息的图谱。可见，两种检测的原理不同、侧重点不同、擅长场景不同、误差不同。本次鉴定中，使用TEM检测元素层厚度，SIMS检测是否存在δP++。二、凯虹公司认为检测不到δP++层的原因是由于SIMS实验错误导致的，并不能得到“无δP++层”的结论。对此，鉴定人认为，如前所述，因SIMS检测和TEM检测的原理、侧重点、擅长场景、误差不同，所以不能将两份检测结果的不统一认定为某一种检测是错误的。本次鉴定在确定SIMS检测方案前，咨询了多家检测单位，并向深圳市中级人民法院发函（工信促司鉴函【2018】04号），征询了两方当事人意见。在两方当事人均认可SIMS检测的方案及设备信息后，鉴定所委托深圳市美信检测技术股份有限公司进行相关测试，测试结果为未检测到δP++层。检测报告中的“未检测到δP++层”表示根据现有设备及检测条件无δP++层。三、浙大微电子学院韩雁对本案的认知。对此，鉴定人认为，1、关于“雪犁效应”。《新型金属源/漏工程新进展》、《镍合金（NiPt、NiAl、NiY）硅化物固相反应及其与Si肖特基接触特性研究》虽然记载了“雪犁效应”，但并未明确记载形成“雪犁效应”的工艺条件，而“雪犁效应”能否稳定存在与工艺条件又密切相关。因此，对于PS1045L器件而言，由于其具体工艺制造的条件未知，“雪犁效应”在PS1045L器件中是否稳定存在也无法判断。2、关于P型硅出现在两处。P型硅出现第一处峰的原因无法确定；结合TEM测试的结果，可以确认第二处P型硅的峰是专利记载的P本底区。

此后，原告又提交了一份关于DSIMS实验深度分辨率的代理意见及相关证据。2019年1月28日，工业和信息化部软件与集成电路促进中心知识产权司法鉴定所又作出一份《回复函》，其上载明：关于凯虹公司对关于DSIMS实验深度分辨率的代理意见收悉，凯虹公司认为鉴定结论中的矛盾无法解释，鉴定所回复如下：一、深度（厚度）的问题，通常，DSIMS测试的深度方向分辨率可能在10nm以下。但本次测试设备的束斑为30μm，远远超过一个单元结构的尺寸，因而，其测试和分析的是多个单元结构，且显示的某元素层深度（厚度）会按照该元素原子存在的最深位置信息显示。对于PS1045L器件，以钛元素为例，哪怕仅有一个钛原子进入到硅元素层，都会导致测试的钛元素层整体厚度增加。另外，本次测试的多个单元结构彼此间厚度不一致，同样会导致某一元素层的深度（厚度）增加。因此，以图1中DSIMS测试结果的横坐标数值来作为某一元素层的厚度是毫无意义的。

图1SIMS检测结果图

此外，尽管图1中钛或硅层深度（厚度）与TEM检测中的对应厚度有所差别，但假设存在δP++层，图1的A区域中则应还存在另一突变峰（共两处突变峰），且该峰的峰值应明显高于目前峰值。二、“雪犁效应”的问题，如上一封函件（工信促司鉴函【2018】20号）所述，“雪犁效应”能否稳定存在，与器件生产所用工艺条件密切相关。凯虹公司提交的文献并未明确记载产生“雪犁效应”的工艺条件，因此，对于PS1045L器件而言，由于其具体工艺制造的条件未知，“雪犁效应”在PS1045L器件中是否稳定存在也无法判断。

2019年2月26日，原告又提交了一份《司法鉴定申请书》，以其之前在庭审陈述、质证意见、代理意见中已经提出的主张即“原告认为司法鉴定中对样本的处理和实验步骤存在错误，导致鉴定结果存在严重错误，实验结果与雪犁效应这一科学原理不符”为由，要求对被控侵权产品是否具有δP++层进行重新鉴定。

四、被告的抗辩相关事实

两被告提出合法来源抗辩，并就此提交了被告重庆平伟公司与“星曜半导体有限公司”的交易记录证据，具体包括：一、被告证据自编码第200页为工程鉴定（实验）报告，编号为20121115，星曜半导体有限公司提供的材料名称为PMR-100mil-45V芯片，被告用以封装成PS1045L，即被控侵权产品，其中购买产品批号为JW307700，被告证据自编码第160页为包装清单，其中从下往上数第12行为“Lot：JW30770023PCS”,被告证据自编码第159页为前述包装清单对应的报关单，被告证据自编码第158页为前述包装清单对应的发票，发票加盖有星曜半导体有限公司的统一发票专用章，金额总计为63854.532美元，被告证据自编码第161页为被告购买前述包装清单所对应的产品的付款凭证，付款凭证上加盖有银行公章，总金额为63854.53美元，与发票的合计金额一致。二、被告证据自编码第201页为工程鉴定（实验）报告，编号为20121210，星曜半导体有限公司提供的材料名称为PMR-100mil-45V芯片，被告用以封装成PS1045L，即被控侵权产品，其中购买产品批号为JC106200JW306900，被告证据自编码第164页为包装清单，其中从下往上数第2行为“Lot：JW30690023PCS”，从下往上数第4行为“Lot：JC10620024PCS”,被告证据自编码163页为前述包装清单对应的报关单，被告证据自编码第162页为前述包装清单对应的发票，发票加盖有星曜半导体有限公司的统一发票专用章，金额总计为26672.436美元，被告证据自编码第165页为被告购买前述包装清单所对应的产品的付款凭证，付款凭证上加盖有银行公章，总金额为26672.44美元，与发票的合计金额一致。以上证据（被告未出未证据原件）证明被告重庆平伟公司先对星曜半导体有限公司进行评审然后列入合格供方，通过多次小批量采购然后测试最终将购得的PMR-100mil-45V芯片应用在PS1045L上。

原告认为被告上述证据没有原件，且证据来源于海外，没有进行公证认证，对其真实性均不予认可。

五、原告赔偿请求的计算依据以及维权合理支出事实

原告提交了其制作的原告损失统计表以及财务软件的截屏页面，在损失统计表中，原告列出了2012年至2015年原告专利产品的销售数量以及单价，计算得出了每一年销售额递减的数据，在财务截屏上可以看出统计数据的来源。该证据用于证明原告由于被告的侵权行为所遭受的实际损失。在财务截屏中可以看出型号为SBR10U45SP5产品就是原告的专利产品，从截屏中可以看出该产品每一年的销售额和销售数量。2013、2014、2015年销售额递减了1亿多元，涉案产品行业平均利润为30%，关于涉案产品行业平均利润，原告没有提交证据证明。原告认为原告的实际损失有3000多万元，但是原告只起诉了1200万元。原告还提交了律师费发票（金额为人民币30万元）、公证费发票（金额合计为2500元）。

以上事实的认定，有专利证书、专利权评价报告、专利年费缴纳凭证、公证书、被控侵权产品、《司法鉴定意见书》、庭审笔录及当事人的陈述等在案予以证实。

本院认为，本案为侵害发明专利权纠纷。原告在本案中请求保护的ＺＬ20081008××××.7号“高效整流器”发明专利，系其依法获得，现处于合法有效状态，应受法律保护。

在专利侵权判定中，首先要确定的是专利权的权利保护范围。在本案中，原告请求的权利保护范围为专利的独立权利要求1、5、7。涉案《司法鉴定意见书》中关于原告请求保护的相关技术方案的具体技术特征分解意见，双方均未提出异议，本院对此予以确认。

在确定专利权的权利保护范围之后，应对被控侵权产品的被诉侵权技术方案进行技术特征分解，并将之与本案专利的全部必要技术特征进行比对，从而判断被控侵权产品是否落入本案专利权的权利保护范围之内。

对于涉案《司法鉴定意见书》作出的被诉侵权技术方案的技术特征分解意见以及比对意见，原告提出异议并申请重新鉴定。

就此，本院认为，首先，关于检测数据是否存在互相矛盾的问题，经查，原告系引用TEM检测数据与SIMS检测数据进行相互比对，而非指证TEM检测数据内部或SIMS检测数据内部存在自相矛盾之处，就此，鉴定机构回复表明，两种检测的原理不同、侧重点不同、擅长场景不同、误差不同，本次鉴定中，使用TEM检测元素层厚度，SIMS检测是否存在δP++。故原告该项质疑，依据并不充分，本院不予采纳。其次，关于未检测到δP++层是否系实验失败或错误所导致的问题，经查，本次鉴定在确定SIMS检测方案前，鉴定机构咨询了多家检测单位，并征询了两方当事人意见。在两方当事人均认可SIMS检测的方案及设备信息后，鉴定机构委托深圳市美信检测技术股份有限公司进行相关测试，测试结果为未检测到δP++层。检测报告中的“未检测到δP++层”表示根据现有设备及检测条件无δP++层。故原告该项质疑，证据不足、理由不充分，本院不予采信。再次，关于DSIMS检测数据是否与检测设备的检测精度相矛盾的问题，经查，鉴定机构回复表明，通常，DSIMS测试的深度方向分辨率可能在10nm以下。但本次测试设备的束斑为30μm，远远超过一个单元结构的尺寸，因而，其测试和分析的是多个单元结构，且显示的某元素层深度（厚度）会按照该元素原子存在的最深位置信息显示。对于PS1045L器件，以钛元素为例，哪怕仅有一个钛原子进入到硅元素层，都会导致测试的钛元素层整体厚度增加。另外，本次测试的多个单元结构彼此间厚度不一致，同样会导致某一元素层的深度（厚度）增加。故，原告该项质疑，依据亦不充分，本院不予采信。最后，关于“雪犁效应”问题，经查，鉴定机构回复表明，“雪犁效应”能否稳定存在与工艺条件密切相关。对于PS1045L器件而言，由于其具体工艺制造的条件未知，“雪犁效应”在PS1045L器件中是否稳定存在也无法判断。故，原告该项质疑，证据不足、理由不充分，本院亦不予采纳。综上，涉案司法鉴定意见书，系由具备知识产权司法鉴定资质的鉴定机构所作出，原告亦未能举证证明存在鉴定程序严重违法或鉴定依据明显不足之情形，依法应予以采信。原告的重新鉴定申请，不能成立，本院不予准许。涉案司法鉴定意见书对被控侵权产品所涉之被控侵权技术方案的具体分解意见，本院予以采信，经比对，被控侵权技术方案缺少原告请求保护的涉案相关技术方案的多个技术特征，显然并未落入原告请求保护的相关技术方案保护范围之内。故，原告对于被告所提之侵权指控及相关诉讼请求，证据不足、理由不充分，本院依法予以驳回。本院依照《中华人民共和国专利法》第五十九条第一款，《最高人民法院关于审理侵犯专利权纠纷案件应用法律若干问题的解释》第一条、第二条、第七条，最高人民法院《关于民事诉讼证据的若干规定》第二条判决如下:

驳回原告全部诉讼请求。

本案案件受理费人民币95720元、鉴定费人民币240000元、鉴定人出庭费用人民币37389元，由原告承担。

如不服本判决，可在判决书送达之日起十五日内，向本院递交上诉状，并按对方当事人的人数提出副本，上诉于最高人民法院。

审判长　丘　庆　均

审判员　江　剑　军

审判员　潘　　　亮

二〇一九年六月十二日

书记员　兰健（兼）

附法律条文

《中华人民共和国专利法》

第五十九条第一款：“发明或者实用新型专利权的保护范围以其权利要求的内容为准，说明书及附图可以用于解释权利要求的内容。”

《最高人民法院关于审理侵犯专利权纠纷案件应用法律若干问题的解释》

第一条：“人民法院应当根据权利人主张的权利要求，依据专利法第五十九条第一款的规定确定专利权的保护范围。权利人在一审法庭辩论终结前变更其主张的权利要求的，人民法院应当准许。权利人主张以从属权利要求确定专利权保护范围的，人民法院应当以该从属权利要求记载的附加技术特征及其引用的权利要求记载的技术特征，确定专利权的保护范围。”

第二条：“人民法院应当根据权利要求的记载，结合本领域普通技术人员在阅读涉案专利说明书及附图对权利要求的理解，确定专利法第五十九条第一款规定的权利要求的内容”

第七条:“人民法院判定被诉侵权技术方案是否落入专利权的保护范围，应当审查权利人主张的权利要求所记载的全部技术特征。被诉侵权技术方案包含与权利要求记载的全部技术特征相同或者等同的技术特征的，人民法院应当认定其落入专利权的保护范围；被诉侵权技术方案的技术特征与权利要求记载的全部技术特征相比，缺少权利要求记载的一个以上的技术特征，或者有一个以上技术特征不相同也不等同的，人民法院应当认定其没有落入专利权的保护范围。”

最高人民法院《关于民事诉讼证据的若干规定》

第二条：“当事人对自己提出的诉讼请求所依据的事实或者反驳对方诉讼请求所依据的事实有责任提供证据加以证明。没有证据或者证据不足以证明当事人的事实主张的，由负有举证责任的当事人承担不利后果。”